发明公开了一种碳纳米管阵列的制备方法，主要解决现有碳纳米管阵列的制备技术生产成本高，造成在大规模制备和工业化生产应用中受到限制的问题。其实现方案是：首先通过电化学沉积方法在多孔片状基底上制备均匀排布的金属化合物作为催化剂；再利用化学气相沉积法，用二氰二胺作为唯一的碳源和氮源，在惰性气体的保护下，在片状多孔基底上制备碳纳米管阵列；通过调节保温阶段的惰性气体流量，实现碳纳米管阵列的形貌调控。本发明工艺简单、生产成本低，碳纳米管阵列结构稳定，可用于功能材料和结构材料方面的复合材料构筑。