一种碲化铯光电阴极制造加工方法
实质审查的生效
摘要
本公开是关于一种碲化铯光电阴极制造加工方法,设计光电器件制造技术领域。所述碲化铯光电阴极制造加工方法包括:镀导电基底;在真空环境中使用磁控溅镀方式在所述导电基底上生长指定厚度的碲膜,得到第一阴极;将所述第一阴极置于设有铯化合物的真空环境中,采用预设光源照射所述第一阴极,通过电流加热方式蒸发铯,并监测所述第一阴极产生的光电流变化;当监测到所述第一阴极的产生的光电流达到最大值时,停止蒸发铯,得到碲化铯光电阴极。本发明提供的方法能够减少和缩短了碲化铯光电阴极生长的升温和降温过程,薄膜生长具有重复性好,控制水平高的特点,能够自动化、批量化生产。
基本信息
专利标题 :
一种碲化铯光电阴极制造加工方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438447A
申请号 :
CN202210078121.2
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李相鑫豆西博
申请人 :
东莞市中科原子精密制造科技有限公司;广东粤港澳大湾区硬科技创新研究院
申请人地址 :
广东省东莞市松山湖园区学府路1号2栋524室
代理机构 :
北京尚伦律师事务所
代理人 :
赵昕
优先权 :
CN202210078121.2
主分类号 :
C23C14/06
IPC分类号 :
C23C14/06 C23C14/18 C23C14/24 C23C14/35 C23C14/58 C23C14/54 H01L31/0224 H01L31/08
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/06
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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