利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法，在衬底上外延并刻蚀GaN基LED纳米柱，将纳米柱转移到柔性临时衬底并去除原有衬底至N型GaN层，得到柔性纳米柱贴膜，将柔性纳米柱贴膜的N型GaN层表面与驱动电路基板通过In电极进行倒装键合，再去除柔性临时衬底，得到高分辨纳米像元显示阵列。本发明利用了柔性纳米柱贴膜方法实现巨量的纳米像元转移，通过高密度纳米阵列规避了巨量转移中的对准对位问题，在无需光刻对准的情况下，实现以单个In电极分别控制若干个GaN纳米柱发光，达成亚微米级分辨率的目标。
基本信息
专利标题 ：
利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420686A
申请号 ：
CN202210092568.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张钊荣徐宇航申宜林张洋郑凯文陶涛许非凡余俊驰刘斌
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
张佳妮
优先权 ：
CN202210092568.5
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L33/08 H01L33/32 H01L33/38 H01L33/00 B82Y30/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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