一种固体中子转换层及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种固体中子转换层及其制备方法和应用,属于碳化硼薄膜制造领域。本发明通过对基体经过离子轰击处理,然后加镀铝膜,很好的改善了应力特性,保证镀制的碳化硼薄膜具有足够高的强度不会破裂和脱落,同时铝膜为微米/纳米级铝膜,应力小,可以和基底保持良好的粘附性;在基体和碳化硼薄膜之间添加亚微米至微米级的铝层作为表面处理层,当碳化硼薄膜原子在微米级厚度的铝层上成核聚集并成膜的过程中,由于铝膜表面的粗糙度而存在的微小“缝隙”,碳化硼薄膜成膜过程中原子的应力存在被弛豫、释放掉的空间,从而可以成功镀制微米级低应力甚至无应力的碳化硼薄膜。
基本信息
专利标题 :
一种固体中子转换层及其制备方法和应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481030A
申请号 :
CN202210093838.4
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朱京涛朱杰金宇陈溢祺梅晓红张秀霞
申请人 :
苏州闻道电子科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市太仓市娄东街道北京东路88号东B幢
代理机构 :
北京高沃律师事务所
代理人 :
李博
优先权 :
CN202210093838.4
主分类号 :
C23C14/16
IPC分类号 :
C23C14/16 C23C14/02 C23C14/06 G01T3/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/14
金属材料、硼或硅
C23C14/16
在金属基体或在硼或硅基体上
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/16
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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