一种高分辨率的冷中子成像材料及其制备方法和应用
公开
摘要
本发明公开一种高分辨率的冷中子成像材料，所述冷中子成像材料中包含氧化钆与乳剂。该材料的设计突破了耦合屏的限制，提高了材料的分辨率；该材料在冷中子成像领域的分辨率可达10μm。本发明还公开了该冷中子成像材料的制备方法和应用。
基本信息
专利标题 ：
一种高分辨率的冷中子成像材料及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114578409A
申请号 ：
CN202011291442.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙承华陈龙周树云符玉华胡秀杰
申请人 ：
中国科学院理化技术研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村东路29号
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
邹欢
优先权 ：
CN202011291442.8
主分类号 ：
G01T3/00
IPC分类号 ：
G01T3/00 G01N23/05
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T3/00
中子辐射的测量
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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