太阳能电池制作方法及太阳能电池
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种太阳能电池制作方法进太阳能电池，包括：在硅衬底的正面制作硼扩散层，采用等离子增强原子层沉积工艺在所述硼扩散层上制作正面氧化铝层，所述等离子增强原子层沉积工艺的循环次数为n，所述n小于或者等于80，所述制作正面氧化铝层包括：在所述硼扩散层上制作第一氧化铝层，所述第一氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于7500w小于10000w，循环次数小于或者等于35％n，在所述第一氧化铝层上制作第二氧化铝层，其中，所述第二氧化铝层制作过程中的沉积功率大于或者等于10000w小于15000w。该太阳能电池制作方法提升了太阳能电池的质量，提高了太阳能电池的效率。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池制作方法及太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551640A
申请号 ：
CN202210101558.3
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫循磊高贝贝王正幸张星刘长明张昕宇
申请人 ：
晶科能源（海宁）有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市袁花镇联红路89号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202210101558.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0216 C23C16/30 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/455
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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