一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法
实质审查的生效
摘要
一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：1）给定器件的工艺参数；2）提取电容_电压关系曲线相关参数：通过逆导电容_漏电压曲线、输出电容_漏电压曲线、输入电容_漏电压曲线、栅极电容_栅电压曲线提取相关参数；3）提取电流_电压关系曲线相关参数：对关键部分漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取和用所有的漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取。本发明的GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法，能够降低参数提取次数，提高GaN HEMT的ASM模型直流参数提取效率和提取参数的准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114462343A
申请号 ：
CN202210104833.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
雷玥朱能勇李翡
申请人 ：
北京华大九天科技股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区利泽中二路2号A座2层
代理机构 ：
北京德崇智捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王金双
优先权 ：
CN202210104833.7
主分类号 ：
G06F30/367
IPC分类号 ：
G06F30/367 G06F30/373 G06F115/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/367
设计验证，例如，采用仿真，集成电路仿真程序，直接方法或松弛方法
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/367
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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