基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法，主要解决符合测量系统中放射源较厚时自吸收比较明显，导致气体正比探测器能量刻度无法正常开展的问题。本发明方法通过限制放射源在半导体探测器上的照射面积，使只有在气体正比探测器内沉积能量较大的射线可以到达半导体探测器产生符合事件。同时，在所有符合事件中只选择半导体探测器能量较高的部分事件，即自吸收最小的事件，从而避免自吸收对能量刻度的影响，达到提高能量测量准确性的目的。
基本信息
专利标题 ：
基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114518589A
申请号 ：
CN202210106432.5
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张文首阿景烨包利红邬泽鹏江新标
申请人 ：
西北核技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市灞桥区平峪路28号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
郑丽红
优先权 ：
CN202210106432.5
主分类号 ：
G01T1/24
IPC分类号 ：
G01T1/24 G01T1/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01T
核辐射或X射线辐射的测量
G01T1/00
X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量
G01T1/16
辐射强度测量
G01T1/24
用半导体探测器
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01T 1/24
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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