本发明公开了一种uCVD石墨烯制备加热平台设计方法，涉及石墨烯制备技术领域，解决加热平台设计效率低的技术问题，方法包括：构建基于SOI晶圆的基础加热微芯片结构，基础加热微芯片结构包括自上而下依次连接的Cu层、SiO₂层、Si层；对基础加热微芯片结构的Si层输入电流，求解加热曲线，根据加热曲线分析Si层的电阻率对加热的影响，并确定适当的Si层的电阻率，根据确定的Si层的电阻率确定Si层的掺杂；在基础加热微芯片结构的各层厚度固定的前提下，分别改变长度和宽度，并求解对应的加热曲线，根据两个加热曲线确定基础加热微芯片结构的长度和宽度；在有限元分析软件上对基础加热微芯片结构进行热电仿真，以验证其是否满足要求。