双半桥谐振变换器拓扑结构及其最小电流路径控制系统
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种双半桥谐振变换器拓扑结构及其最小电流路径控制系统，包括输入侧桥式结构、谐振腔以及输出侧桥式结构，所述输入侧桥式结构由4个MOSFET开关管和两个均压电容组成，经两个LC型谐振腔，通过谐振腔上的高频变压器与由4个MOSFET开关管组成的输出侧桥式结构相连。由于输入侧桥式拓扑处含有两个均压电容，因此两个谐振腔所受电压应力减半。调节输入侧开关管间移相角差为θ，输入侧开关管与输出侧开关管移相角差为以两个移相角为控制变量，结合所提出的最小电流路径控制方法，在宽电压范围内，将两个谐振腔上电流应力最小化，实现同步整流，消除回流；在较大的转换器增益变化范围内能够保持全部开关管ZVS运行。
基本信息
专利标题 ：
双半桥谐振变换器拓扑结构及其最小电流路径控制系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337308A
申请号 ：
CN202210123556.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡松李翼男钟黎萍毛丽民吕庭黄欢
申请人 ：
常熟理工学院
申请人地址 ：
江苏省苏州市常熟市南三环路99号
代理机构 ：
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张励
优先权 ：
CN202210123556.4
主分类号 ：
H02M3/335
IPC分类号 ：
H02M3/335 H02M1/14 H02M1/32
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 3/335
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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