谐振腔结构和半导体处理设备

授权

摘要

本发明公开了一种谐振腔结构和半导体处理设备。包括：谐振腔体；保护壳体，罩设在谐振腔体的外部；第一支撑件，与保护壳体内壁固定连接；第二支撑件，与谐振腔体外壁固定连接，位于第一支撑件的上方，并可与第一支撑件相重叠，以在第一支撑件的带动下升降；定位件，沿第二支撑件的升降方向同时贯穿第一支撑件与第二支撑件，以定位第一支撑件与第二支撑件。这样，在开盖过程中，可以通过抬升保护壳体，使得第一支撑件与第二支撑件抵接，这样，第二支撑件可以在第一支撑件的带动下上升，从而可以带动谐振腔体脱离真空腔体，进而可以实现谐振腔体的快速开盖，提高谐振腔体的开盖效率，缩短开盖时间。

基本信息

专利标题：

谐振腔结构和半导体处理设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111128664A

申请号：

CN201811294287.8

公开（公告）日：

2020-05-08

申请日：

2018-11-01

授权号：

CN111128664B

授权日：

2022-05-27

发明人：

段辰玥

申请人：

北京北方华创微电子装备有限公司

申请人地址：

北京市北京经济技术开发区文昌大道8号

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

彭瑞欣

优先权：

CN201811294287.8

主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

H01J37/32