半导体结构加工设备
授权
摘要
本公开实施例公开了一种半导体结构加工设备，其特征在于，包括：容腔；托盘，位于容腔内；所述设备还包括：承载台，位于容腔内，用于承载托盘；第一轴盘和至少两个第二轴盘，位于承载台上，且在以托盘的中心为圆心的同一圆周上均匀分布；其中，第二轴盘和第一轴盘的阻抗比值在设定范围内；和/或，喷头，位于容腔内，且位于托盘上方，包括：扩散腔、以及与扩散腔连通的出气孔；扩散腔，用于容纳气体；其中，气体通过出气孔进入容腔内；测温组件和至少两个阻挡组件，分别贯穿扩散腔，且测温组件的一端位于容腔；其中，至少两个阻挡组件与测温组件在以扩散腔的中心为圆心的同一圆周上均匀分布。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113463070A
申请号 ：
CN202110639096.6
公开（公告）日 ：
2021-10-01
申请日 ：
2021-06-08
授权号 ：
CN113463070B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
彭静张晓芳
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘鹤
优先权 ：
CN202110639096.6
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/455 C23C16/458 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/52 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-10-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/50
申请日 : 20210608
申请日 : 20210608
2021-10-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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