本发明实施例提供一种内衬装置及半导体加工设备，该内衬装置包括内衬组件和排气通道结构，排气通道结构的进气口与工艺腔室的内部连通；排气通道结构的出气口与工艺腔室的排气口连通；内衬组件包括沿工艺腔室的径向由中心向边缘依次嵌套的第一金属衬环、绝缘衬环和第二金属衬环；其中，排气通道结构的进气口位于第一金属衬环的内周壁上；第一金属衬环的轴向长度被设置为能够覆盖绝缘衬环的内周壁位于指定高度位置以上的区域，以防止薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上。本发明实施例提供的内衬装置及半导体加工设备，可以在实现工艺腔室内部气体排出的前提下，避免薄膜沉积在绝缘衬环的内周壁上，从而可以提高工艺结果的一致性和稳定性。