一种改善EL黑边的方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于单晶硅电池技术领域，具体涉及一种改善EL黑边的方法，选择性发射极SE技术在绘图时，对两侧边缘的三根细栅线进行双线雕刻。目前选择性发射极(SE)技术在绘图时，细栅线均采用单线进行雕刻，本发明设计的新图形是通过把边缘三根细栅线进行双线雕刻，在不影响产能的情况下，可以有效降低EL黑边的问题，减少不良品的产生，提升良率。本发明设计方案在现有激光掺杂设备上均是可完全兼容，不会增加成本，并且在工业化生产过程中稳定性好，不会影响正常生产。
基本信息
专利标题 ：
一种改善EL黑边的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420794A
申请号 ：
CN202210125165.6
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王琳琳曾玉婷张鹏常青莫建宏
申请人 ：
江西中弘晶能科技有限公司
申请人地址 ：
江西省抚州市宜黄县六里铺工业园区谭坊小区
代理机构 ：
南昌合达信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘丹
优先权 ：
CN202210125165.6
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0224 H01L31/068
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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