一种降低焊球应力的结构及其构造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体封装技术领域，提出一种降低焊球应力的结构及其构造方法，该结构包括：焊球，其与凸块下金属层连接；凸块下金属层，其布置于绝缘层上方；焊盘，其布置于绝缘层下方；以及绝缘层，其设置过孔束，所述过孔束设置于所述焊盘上方，其中所述过孔束包括多个过孔，其中所述凸块下金属层与所述焊盘通过所述过孔束连接。
基本信息
专利标题 ：
一种降低焊球应力的结构及其构造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551374A
申请号 ：
CN202210140701.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
樊嘉祺孙鹏曹立强
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张东梅
优先权 ：
CN202210140701.X
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/488 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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