一种结晶过程晶体粒径分布测量方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种结晶过程晶体粒径分布测量方法，包括以下步骤：S1、将测量样品池进行多次反射光路设计，样品池透射面和入射面的反射作用使光在样品中多次传播，消光光程成倍数增加；S2、当样品中无晶体时，记录光谱仪接收到的光信号为背景光谱I0；当样品中存在晶体时，记录光谱仪接收到的光信号为信号光谱I；S3、建立计算消光光谱I/I0的修正函数表达式；S4、建立消光光谱和晶体粒径大小之间的函数关系式；S5、进行数据处理，利用粒径反演算法求解得到晶体粒径分布。根据本发明，能够实现更低的测量粒径下限和浓度下限；可用于结晶初期阶段的晶体尺寸监测。
基本信息
专利标题 ：
一种结晶过程晶体粒径分布测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114544444A
申请号 ：
CN202210170517.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田昌苏明旭
申请人 ：
上海理工大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区军工路516号
代理机构 ：
上海邦德专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
崔双双
优先权 ：
CN202210170517.X
主分类号 ：
G01N15/02
IPC分类号 ：
G01N15/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N15/00
测试颗粒的特性；测试多孔材料的渗透性，孔隙体积或者孔隙表面积
G01N15/02
测试颗粒的粒度或粒经分布
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 15/02
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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