一种硅基高速钙钛矿光源及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种硅基高速钙钛矿光源，包括依次层叠的硅基层、金电极层、空穴传输层、甲基‑铯铅溴钙钛矿层、电子传输层、半透明银电极层；所述甲基‑铯铅溴钙钛矿层制备时加入甲基溴化铵。本发明的硅基高速钙钛矿光源能降低铯铅溴钙钛矿光源的发光淬灭以及在高电流密度下的外量子荧光效率抖降，提高器件可调制的电流密度区间和有效调制带宽范围。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基高速钙钛矿光源及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551742A
申请号 ：
CN202210171171.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
巫江任翱博
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李华
优先权 ：
CN202210171171.5
主分类号 ：
H01L51/50
IPC分类号 ：
H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/50
申请日 : 20220223
申请日 : 20220223
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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