DRAM数据存储拓扑的探测方法及探测装置
公开
摘要
本申请公开了一种DRAM数据存储拓扑的探测方法及探测装置。该DRAM数据存储拓扑的探测方法包括：在DRAM中的存储单元中写入外部逻辑数据；基于存储单元的内部物理数据与外部逻辑数据确定存储单元的数据存储拓扑类型，内部物理数据是外部逻辑数据写入存储单元后得到的。通过这种方式，能够准确且快速的探测DRAM存储阵列的各个存储单元的数据存储拓扑。
基本信息
专利标题 ：
DRAM数据存储拓扑的探测方法及探测装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582390A
申请号 ：
CN202210172841.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安九华
申请人 ：
西安紫光国芯半导体有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区丈八街办高新六路38号A座4楼
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张晓薇
优先权 ：
CN202210172841.5
主分类号 ：
G11C11/409
IPC分类号 ：
G11C11/409 G11C11/408
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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