一种基于读数据的电压分布分析方法

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摘要

本发明公开了一种基于读数据的电压分布分析方法，应用于NAND Flash，包括：根据已知的标准电压分布图，确定待测电压的范围；在待测电压的范围内确定若干个待测电压档位，待测电压档位是指读取NAND Flash中原始数据时使用的电压阈值点的档位；将所有电压阈值点绑定一起调档，读取NAND Flash中的原始数据并保存；计算每个电压阈值点对应的每一个待测电压档位所判定的存储状态的相对个数，用CountX（i）表示；预画出电压分布图，基于预画出的电压分布图对CountX（i）进行处理，得到最终的电压分布图。本发明对所有电压阈值点绑定统一调档读取，且只基于读数据，就可以快速获得电压分布情况，从而判断测试的物理块的状态是否异常。

基本信息

专利标题：

一种基于读数据的电压分布分析方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114242149A

申请号：

CN202210184370.X

公开（公告）日：

2022-03-25

申请日：

2022-02-28

授权号：

CN114242149B

授权日：

2022-05-27

发明人：

雷莉冯立晖廖莎

申请人：

杭州阿姆科技有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市滨江区六和路368号一幢(北)二楼B2200室

代理机构：

杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

张宇娟

优先权：

CN202210184370.X

主分类号：

G11C16/26

IPC分类号：

G11C16/26 G11C16/30 G11C29/12