一种晶圆高度检测方法及装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种晶圆高度检测方法及装置。该方法包括：获取在三维坐标系下的晶圆表面采样点数据集合；将所述采样点数据集合转换为二维坐标系下的图片，所述图片包括采样点到参考平面的距离信息；根据采样点到参考平面的距离信息在所述图片上查找目标晶粒，将目标晶粒周围预设区域作为目标晶粒对应的晶粒基座；根据目标晶粒对应的采样点到所述参考平面的距离信息及晶粒基座对应的采样点到所述参考平面的距离信息计算得到目标晶粒的高度值。本发明具有检测速度快、检测精度高的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆高度检测方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267606A
申请号 ：
CN202210191894.1
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
熊柏泰
申请人 ：
武汉精立电子技术有限公司;武汉精测电子集团股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园南路22号
代理机构 ：
武汉东喻专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
雷霄
优先权 ：
CN202210191894.1
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20220301
申请日 : 20220301
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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