中子发生器
公开
摘要

本发明公开了一种中子发生器,该中子发生器包括壳体、设置在壳体内的离子源以及设置在壳体内的靶组件,靶组件与离子源相对应地设置,离子源通过第一隔板固定在壳体的内壁上,离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在第一阴极和第二阴极之间的阳极,阳极包括至少两个阳极筒,第一阴极和第二阴极分别包括与至少两个阳极筒相对应的至少两个阴极子。通过提供具有包括至少两个阴极子的第一阴极和第二阴极以及相应地包括至少两个阳极筒的阳极的多离子源结构,以使在阴极和阳极之间电离的离子能够以多束的形式引出,增大束流的引出面积,由此降低了单位面积靶膜上的溅射速率,延长靶组件的使用寿命。

基本信息
专利标题 :
中子发生器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114582542A
申请号 :
CN202210201639.0
公开(公告)日 :
2022-06-03
申请日 :
2022-03-02
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
宋应民陈红涛张凯赵芳刘邢宇龚新宝阮锡超聂阳波
申请人 :
中国原子能科学研究院
申请人地址 :
北京市房山区新镇三强路1号院
代理机构 :
北京市创世宏景专利商标代理有限责任公司
代理人 :
王鹏鑫
优先权 :
CN202210201639.0
主分类号 :
G21G4/02
IPC分类号 :
G21G4/02  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理;核工程
G21G
化学元素的转变;放射源
G21G4/00
放射源
G21G4/02
中子源
法律状态
2022-06-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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