一种中子导管
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摘要

本实用新型公开了一种中子导管,包括中子超镜导管、连接板、中子导管壳体、面接触压紧机构和面接触支撑机构。中子超镜导管为多段,多段中子超镜导管依次连接形成导管本体。相邻的两个中子超镜导管的连接处粘接有连接板,导管本体的两端分别粘接有连接板。中子导管壳体设在中子超镜导管的表面并与中子超镜导管间隙配合。面接触压紧机构设置于中子导管壳体内,面接触压紧机构的一面被配置为压紧连接板。面接触支撑机构设置于中子导管壳体内,面接触支撑机构的一面被配置为支撑连接板。面接触压紧机构和面接触支撑机构连接在中子导管壳体的对应的两个侧面上相对设置以固定中子超镜导管。中子导管具有优秀的稳定性且可在多种条件下长期使用。

基本信息
专利标题 :
一种中子导管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921767208.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-21
授权号 :
CN210984306U
授权日 :
2020-07-10
发明人 :
肖松文朱涛李树发孙远
申请人 :
散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所;中国科学院物理研究所
申请人地址 :
广东省东莞市松山湖高新技术产业开发区总部二路2号光大数字家庭(推广名:光大we谷)一区1栋1号楼1316号房
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
胡彬
优先权 :
CN201921767208.0
主分类号 :
G21G4/02
IPC分类号 :
G21G4/02  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理;核工程
G21G
化学元素的转变;放射源
G21G4/00
放射源
G21G4/02
中子源
法律状态
2020-07-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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