本发明公开了一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法，本发明的高过载扭摆式硅微加速度计包括SOI电极结构层和硅敏感结构，SOI电极结构层上设有三个静电电容区域及对应的引线盘，硅敏感结构包括质量块及其中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构，键合块通过支撑梁与质量块相连，键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置。本发明能极大程度减小晶圆级键合应力，提高硅微加速度计抗过载能力，保障了产品的使用寿命和长期可靠性，能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度，改善电容间隙一致性，加工精度更高。