本发明涉及半导体CMP加工技术领域，具体涉及一种晶圆固定环及具有其的CMP设备。晶圆固定环，包括：固定环本体；多个第一排出槽，设于所述固定环本体的研磨面上，所述第一排出槽从所述固定环本体的内圆边缘延伸至所述固定环本体的外圆边缘；多个第二排出槽，与所述第一排出槽连通且与所述第一排出槽一一对应设置，所述第二排出槽与所述第一排出槽成角度设置，所述第二排出槽由所述第一排出槽延伸至所述固定环本体的外圆边缘。当带有副产物杂质的研磨液运动到第二排出槽和第一排出槽的交叉点时会产生急流，将副产物杂质快速冲出到第一排出槽和第二排出槽外，有效降低沟槽内淀积的残留物对后续打磨的晶圆造成影响。