屏蔽环、屏蔽装置及电镀设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种屏蔽环、屏蔽装置及电镀设备，屏蔽环用于晶圆电镀，所述屏蔽环包括扰流部，所述扰流部与所述屏蔽环的内环面相连接，所述扰流部用于扰动电镀所述晶圆的电镀液，以使所述晶圆被均匀的电镀。本实用新型通过将屏蔽环设置在晶圆之前，使得电镀液需要先流过屏蔽环，在电镀液流经屏蔽环时，位于屏蔽环的内环面的扰流部能够促使电镀液发生旋转，从而有利于提高晶圆电镀层的均匀性。
基本信息
专利标题 ：
屏蔽环、屏蔽装置及电镀设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921800754.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-24
授权号 ：
CN211367779U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
史蒂文·贺·汪
申请人 ：
新阳硅密（上海）半导体技术有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区思贤路3600号
代理机构 ：
上海弼兴律师事务所
代理人 ：
王卫彬
优先权 ：
CN201921800754.X
主分类号 ：
C25D17/00
IPC分类号 ：
C25D17/00 C25D7/12 C25D21/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置
C25D17/00
电解镀覆用电解槽的结构件、或其组合件
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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