Micro OLED微显示器件的制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种Micro OLED微显示器件的制备方法，包括步骤：S1、在硅片基底上制备CMOS驱动电路形成CMOS基板；S2、制备阳极层；S3、制备像素定义层；S4、在像素定义层上制备无机辅助层，无机辅助层上设置第一凹槽；S5、在像素定义层上制备沟槽，沟槽位于第一凹槽的下方且与第一凹槽连通；S6、在像素定义层和无机辅助层上制备OLED膜层，OLED膜层在第一凹槽处断开；S7、在OLED膜层上制备导电层；S8、制备TFE层；S9、依次制备第一OC层、彩胶层和第二OC层，最后在第二OC层上贴合玻璃盖板。本发明的Micro OLED微显示器件的制备方法，可以减轻串光的效应。
基本信息
专利标题 ：
Micro OLED微显示器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628619A
申请号 ：
CN202210253365.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹君
申请人 ：
安徽熙泰智能科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市芜湖长江大桥综合经济开发区高安街道经四路一号办公楼五楼
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱顺利
优先权 ：
CN202210253365.X
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/52 H01L27/32
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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