一种核桃状中空硫化铜半导体材料及制备方法和应用
公开
摘要
本发明属于化学合成技术领域，具体涉及一种核桃状中空硫化铜半导体材料及制备方法和应用。以废弃金属氧化物脱硫剂在酸性条件下生成的硫化氢为硫源及气泡软模板，以聚乙烯吡咯烷酮为分散剂，经一步水热反应，自组装生长成表面粗糙的核桃状中空结构。还包括一种核桃状中空硫化铜半导体材料的制备方法，所述材料用于光催化降解亚甲基蓝，根据Beer‑Lambert定律对有机染料的降解脱色进行光催化活性检测。本发明制得的硫化铜半导体材料具有优异的光催化降解有机染料性能，有望在光催化剂、荧光材料、太阳能电池和传感器等领域得到广泛应用。
基本信息
专利标题 ：
一种核桃状中空硫化铜半导体材料及制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620761A
申请号 ：
CN202210354823.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张恒崔明杰逄翠
申请人 ：
曲阜师范大学
申请人地址 ：
山东省济宁市曲阜市静轩西路57号
代理机构 ：
北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张燕燕
优先权 ：
CN202210354823.9
主分类号 ：
C01G3/12
IPC分类号 ：
C01G3/12 B01J27/04 B01J35/00 B01J37/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G3/00
铜的化合物
C01G3/12
硫化物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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