改善WAT测试精度的测试单元及其测试方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种改善WAT测试精度的测试单元及其测试方法,所述改善WAT测试精度的测试单元包括:MOS晶体管区,包括N个特征尺寸相同的MOS晶体管;金属区,位于MOS晶体管区上方;互连金属线,用于将MOS晶体管与金属区连接,使得N个MOS晶体管以并联的形式连接。本发明在不改变现有的测试硬件条件下,能够有效的解决测试机台及针卡在测试MOS晶体管漏电流时精度不足的问题,以便精确,高效的测试出MOS晶体管漏电流;测试过程方便简洁,并且可以降低测试成本,有利于本发明的应用与推广;本发明针对小尺寸MOS晶体管进行测试,以便了解MOS晶体管的性能,在后续芯片设计中提出解决方案,以便芯片的集成。

基本信息
专利标题 :
改善WAT测试精度的测试单元及其测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114509657A
申请号 :
CN202210401025.7
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2022-04-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赖福东刘翔
申请人 :
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 :
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
余明伟
优先权 :
CN202210401025.7
主分类号 :
G01R31/26
IPC分类号 :
G01R31/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 31/26
申请日 : 20220418
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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