一种Al-Ti-C-N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用
公开
摘要
本发明公开了一种Al‑Ti‑C‑N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用，包括以下步骤：(1)衬底材料的安装：将衬底材料安装夹具上，并放置在真空镀膜室中；(2)预处理：依次开启抽真空系统、加热系统和机械传动系统，真空室抽真空并升温，随后充入高纯氩气，开启脉冲偏压，放电清洗；(3)多弧离子镀：充入反应气体，设置靶材，打开弧源，设置参数后进行镀膜，得到Al‑Ti‑C‑N纳米晶。本发明采用电弧离子镀的方法制备纳米尺寸的AlTiCN晶粒细化剂，所制备的细化剂既可细化含Zr铝合金的晶粒，也可以细化含Si铝合金的晶粒，从而克服晶粒细化中的“Zr中毒”和“硅中毒”。
基本信息
专利标题 ：
一种Al-Ti-C-N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606461A
申请号 ：
CN202210404249.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-04-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵愈亮宋东福乡家发卢剑玉贾义旺孙振忠黄石平
申请人 ：
东莞理工学院;肇庆南都再生铝业有限公司;广东省科学院新材料研究所
申请人地址 ：
广东省东莞市松山湖科技产业园区大学路1号
代理机构 ：
北京高航知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘艳玲
优先权 ：
CN202210404249.3
主分类号 ：
C23C14/00
IPC分类号 ：
C23C14/00 C23C14/06 C23C14/32 C22C21/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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