一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管采用MOS的沟道进行单向电流导通。为了降低二极管的正向导通压降，本发明采用积累型沟道取代常规反型沟道。此外，为了提高器件的抗浪涌能力，我们为该栅控二极管集成了并联的PNP三极管，三极管的加入使得浪涌电流到来时三极管的基区能够被电导调制，降低了三极管基区的体电阻，进一步的，三极管的集电结反偏，将进一步放大由发射区进入基区的电流。
基本信息
专利标题 ：
一种高抗浪涌电流能力的栅控二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551576A
申请号 ：
CN202210441706.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾航高巍戴茂州
申请人 ：
成都蓉矽半导体有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道中段1366号2栋9楼12-18号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202210441706.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220426
申请日 : 20220426
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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