吸附装置
公开
摘要
本发明提供了一种吸附装置，吸盘本体的端面上具有第一吸附区和第二吸附区；第一吸附区上设置有第一微孔，第二吸附区上设置有第二微孔；进气孔设置在吸盘本体背向第一吸附区和第二吸附区的端面上；第一气道设置在吸盘本体内部且与第一微孔连通，第一气道与进气孔连通；第二气道设置在吸盘本体内部且与第二微孔连通，第二气道与第一气道互不连通；通断装置设置在吸盘本体外且与吸盘本体连接，通断装置上设置有连接通道，连接通道与第一气道和第二气道均连通，通断装置还包括通断部件，以通过通断部件控制连接通道的通断，使第一气道与第二气道通过连接通道连通或者使第一气道与第二气道断开，解决了现有技术中的吸附装置的吸盘结构复杂的问题。
基本信息
专利标题 ：
吸附装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597155A
申请号 ：
CN202210500799.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-05-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁嘉欣江旭初唐艳文
申请人 ：
上海隐冠半导体技术有限公司;苏州隐冠半导体技术有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区金海路1000号47幢1楼
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
侯春扬
优先权 ：
CN202210500799.5
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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