内置温度检测模块的IGBT
授权
摘要
本实用新型提供了内置温度检测模块的IGBT，包括：IGBT正面区域、IGBT背面区域。IGBT正面区域包括：IGBT基底结构，位于IGBT基底结构上的终端区域，终端区域内部设置有元胞区域和温度检测正面金属电极区域，位于元胞区域上的IGBT正面发射极金属区域和IGBT正面栅极金属区域；IGBT背面区域包括：IGBT背面集电极金属区域，温度检测背面金属电极区域；温度检测模块包括温度检测正面金属电极和温度检测背面金属电极，以及位于温度检测正面金属电极及温度检测背面金属电极间的层间绝缘介质层、P+区域、N‑区域和N+区域。本实用新型在传统的IGBT版图结构基础上增加温度检测部分，从而实现内置温度检测功能的IGBT，对IGBT形成更及时的保护。
基本信息
专利标题 ：
内置温度检测模块的IGBT
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220216958.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
CN216671640U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
程炜涛姚阳
申请人 ：
上海埃积半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
代理机构 ：
上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨用玲
优先权 ：
CN202220216958.4
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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