利用封闭边界产生静电四极场的结构
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
目前大多数商品化的静电四极场系统均采用圆截面的金属电极结构。这种结构加工较为复杂，且只能在靠近对称中心的很小区域里产生完整四极场；此外，电极之间存在空隙，在用玻璃或陶瓷作为管壳时会受到管壳内壁杂散电荷形成电位的影响。本发明根据理论计算求得产生完整静电四极场的方法和用均匀厚度或厚度呈连续变化的高阻材料构成封闭边界的结构，其电位随位置作连续变化，以产生各种形式的完整静电四极场。这种结构比较简单，可以广泛应用于电子光学系统及各种仪器设备中。
基本信息
专利标题 ：
利用封闭边界产生静电四极场的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85102774A
申请号 ：
CN85102774.1
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85102774B
授权日 ：
1987-11-04
发明人 ：
华中一王阳范承善谷超豪
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
须一平
优先权 ：
CN85102774.1
主分类号 ：
H01J49/42
IPC分类号 ：
H01J49/42 G01N27/62
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J49/00
粒子分光仪或粒子分离管
H01J49/26
质谱仪或质量分离管
H01J49/34
动态分光仪
H01J49/42
轨迹稳定型分光仪，如单极的、四极的、多极的、线振质谱仪型的
法律状态
1992-08-26 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-05-18 ：
授权
1987-11-04 ：
审定
1986-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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