全温区工作的硅晶体管的制造技术
驳回申请决定
摘要
这是一种可在全温区工作的硅晶体管的制造技术，据此制出的晶体管电流放大倍数随温度变化很小，可在-65℃～+200℃范围内正常工作。它是一种由常截止型结型场效应晶体管和双极晶体管混合为一体的新型晶体管。其很宽温度变化范围内的高温度稳定性是通过把双极晶体管的基区从发射区下面断开以形成一个场效应晶体管的沟道区来达到的。它可在广泛领域内取代双极晶体管使用而不必对电路作任何修改，尤其适用于环境温度变化大的用途中。
基本信息
专利标题 ：
全温区工作的硅晶体管的制造技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104089A
申请号 ：
CN85104089
公开（公告）日 ：
1986-01-10
申请日 ：
1985-05-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
亢宝位仲玉林
申请人 ：
北京工业大学;辽宁大学
申请人地址 ：
北京市东郊九龙山
代理机构 ：
北京工业大学专利代理事务所
代理人 ：
楼艮基
优先权 ：
CN85104089
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
1988-05-04 ：
驳回申请决定
1986-01-10 ：
公开
1985-12-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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