辐射温度传感器用的硅探测器筛选方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于一种辐射温度测定技术，是按照非平衡式部分辐射温度传感器一致性的指标进行预先筛选硅光电池探测器，然后在一个温度点统调的方法代替传统的逐点温度比较的方法获得非平衡式部分辐射温度传感器分度特性，并使其分度特性取得一致。既节约了调试时间和能源的消耗，同时降低了成本，也简化了辐射温度传感器的维修工作。
基本信息
专利标题 ：
辐射温度传感器用的硅探测器筛选方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100837A
申请号 ：
CN86100837.5
公开（公告）日 ：
1987-09-09
申请日 ：
1986-01-10
授权号 ：
CN1006408B
授权日 ：
1990-01-10
发明人 ：
姜世昌吴淑媛叶荣昌
申请人 ：
机械工业部上海工业自动化仪表研究所
申请人地址 ：
上海漕宝路103号
代理机构 ：
机械电子工业部上海专利事务所
代理人 ：
朱淑球
优先权 ：
CN86100837.5
主分类号 ：
G01J5/20
IPC分类号 ：
G01J5/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
G01J5/20
用对辐射敏感的电阻器，热敏电阻器或半导体
法律状态
1993-05-05 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-15 ：
授权
1990-01-10 ：
审定
1987-09-09 ：
公开
1987-07-08 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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