高分子薄膜驻极体的制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
高分子薄膜驻极体的制造方法，它属于一种高分子功能材料的制造方法。它是采用射频低温等离子体注入工艺和全氟乙丙烯共聚物高分子材料，所得到的高分子薄膜驻极体的两面基本上为负电位，可用来治疗骨折及加速骨生长。
基本信息
专利标题 ：
高分子薄膜驻极体的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102516A
申请号 ：
CN86102516.4
公开（公告）日 ：
1987-03-11
申请日 ：
1986-09-22
授权号 ：
CN1006502B
授权日 ：
1990-01-17
发明人 ：
王寿泰张国光张和康
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
上海市华山路1954号
代理机构 ：
上海交通大学专利事务所
代理人 ：
罗荫培
优先权 ：
CN86102516.4
主分类号 ：
H01G7/02
IPC分类号 ：
H01G7/02 A61N1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G7/00
用非机械方式改变电容量的电容器；其制造方法
H01G7/02
驻极体，即有永久极化的电介质
法律状态
1996-11-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-09-05 ：
授权
1990-01-17 ：
审定
1987-03-11 ：
公开
1987-03-04 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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