金属—氧化铝—硅结构湿度传感器及其制备工艺
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本发明是Si-MOS结构AlO3湿度传感器，属于指示环境湿度的元器件。它是在低阻Si衬底上通过Al蒸发和阳极氧化及热处理制备一层稳定的多孔α-Al2O3，并而使Al2O3湿度传感器改善或克服了长期漂移问题，并能同时测量绝对湿度和相对湿度。本发明的湿度传感器测湿范围宽、灵敏度高、重复性和稳定性好，可广泛用于工业过程控制、环境湿度检测、各种高纯气体水含量分析、气密封装电子器件残留水份监测及电子器件的可靠性和失效机理研究等。
基本信息
专利标题 ：
金属—氧化铝—硅结构湿度传感器及其制备工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102535A
申请号 ：
CN86102535.0
公开（公告）日 ：
1988-05-11
申请日 ：
1986-10-17
授权号 ：
CN86102535B
授权日 ：
1988-11-16
发明人 ：
骆如杨
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长户路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN86102535.0
主分类号 ：
G01W1/02
IPC分类号 ：
G01W1/02 G01R27/26 H01G7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01W
气象学
G01W1/00
气象学
G01W1/02
由测量两个或多个变量，例如，湿度、压力、温度、云量、风速等以指示天气状态的仪器
法律状态
1991-02-20 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-09-06 ：
授权
1988-11-16 ：
审定
1988-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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