半导体电路不稳定性解决效率提高
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明从电路结构上来解决各种半导体电路中存在的热不稳定性，提高功放电路的晶体管和电路效率，在晶体管发射结加偏置电压，使偏置电路中串接的温度敏感元件随管温变化的电压值，与发射结内建场电压随结温的变化值近似相等，偏置电压与内建场电压之差，为不随温度变化的常数，和根据电路工作状态调整偏压，来解决电路热不稳定性。并由于发射极电阻可取任意值，输入电压能与偏压叠加到发射结上，可提高功放电路中的晶体管和电路效率。输出功率能增大10～300％以上。并可制造大功率集成电路，和提高各种半导体电子设备的电可靠性，降低设备成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体电路不稳定性解决效率提高
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108332A
申请号 ：
CN86108332.6
公开（公告）日 ：
1988-11-23
申请日 ：
1986-12-06
授权号 ：
CN1003755B
授权日 ：
1989-03-29
发明人 ：
汪克明
申请人 ：
汪克明
申请人地址 ：
贵州省贵阳市邮政局包刷科
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN86108332.6
主分类号 ：
H03F1/30
IPC分类号 ：
H03F1/30 H03F3/343 H03F3/04 H03F1/52
法律状态
2000-01-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-02-14 ：
授权
1989-03-29 ：
审定
1988-11-23 ：
公开
1987-10-14 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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