一种提高效率的电路结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种提高效率的电路结构，包括控制IC、MOS管Q1、MOS管Q2、分立谐振电感Ls、变压器漏感L、变压器T、二极管D1、二极管D2、输入电容Cin、输出电容Cout、串联谐振电容Cs、并联谐振电容Cp’1和Cp’2，所述控制IC分别与所述MOS管Q1的G极连接和所述MOS管Q2的G极连接，所述MOS管Q1的D极与所述输入电容Cin的正极连接，所述输入电容Cin的负极接地，所述MOS管Q1的S极分别与所述分立谐振电感Ls的一端和所述MOS管Q2的D极连接，所述MOS管Q2的S极接地，所述分立谐振电感Ls的另一端与所述变压器漏感L的一端连接。有益效果：有效地降低了变压器的铜损耗，提高了效率。

基本信息

专利标题：

一种提高效率的电路结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921601054.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-23

授权号：

CN210579376U

授权日：

2020-05-19

发明人：

李志科

申请人：

深圳瓦特智汇科技有限公司

申请人地址：

广东省深圳市宝安区新安街道布心社区74区布心二村B1栋禧鸿源工业大厦208

代理机构：

深圳叁众知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

张娜

优先权：

CN201921601054.8

主分类号：

H05B45/36

IPC分类号：

H05B45/36 H02M3/335