在金属制件上制备硅扩散涂层的方法
被视为撤回的申请
摘要
在金属制件上制备一种硅扩散涂层的方法，其步骤是把金属制件暴露于还原性的气氛中，接着在一种含硅烷为1ppm至100％(体积)其余为氢或氢和惰性气体的混合物的气氛中进行处理。用具有规定露点的氢气作为表面预处理剂及对硅烷的稀释剂。
基本信息
专利标题 ：
在金属制件上制备硅扩散涂层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86108935A
申请号 ：
CN86108935
公开（公告）日 ：
1987-07-29
申请日 ：
1986-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿莱詹德罗·利奥波多·卡布雷拉约翰·弗朗西斯·柯纳罗伯特·阿尔文·朱勒罗纳德·皮尔兰托乔
申请人 ：
气体产品与化学公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
罗才希
优先权 ：
CN86108935
主分类号 ：
C23C10/08
IPC分类号 ：
C23C10/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C10/00
金属材料表面中仅渗入金属元素或硅的固渗
C23C10/06
使用气体的
C23C10/08
仅渗一种元素
法律状态
1990-04-25 ：
被视为撤回的申请
1988-08-24 ：
实质审查请求
1987-07-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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