聚偏氟乙烯薄膜激光辐射探测器
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本实用新型是一种使用聚偏氟乙烯薄膜(PVDF)作为敏感材料的热释电型激光辐射探测器。这种探测器灵敏度为5-10V/J，响应时间小于0.5ms。它能直接检测波长范围从0.25μm至25μm，功率密度高达100MW/cm2的脉冲激光辐射。
基本信息
专利标题 ：
聚偏氟乙烯薄膜激光辐射探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86207853.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-10-10
授权号 ：
CN86207853U
授权日 ：
1987-07-29
发明人 ：
王树铎范良藻
申请人 ：
中国科学院物理研究所;中国科学院传感技术公司
申请人地址 ：
北京市603信箱
代理机构 ：
中国科学院专利事务所
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN86207853.9
主分类号 ：
G01J5/10
IPC分类号 ：
G01J5/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分，偏振、相位或脉冲特性的测量；比色法；辐射高温测定法
G01J5/00
辐射高温测定法
G01J5/10
用电辐射检测器
法律状态
1995-04-26 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-11-27 ：
专利权有效期的续展
1987-07-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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