互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在基本上绝缘的基片的主表面上形成一单晶硅层、在该层中制造一种绝缘体外延硅(SOI)横向绝缘栅整流器(LIGR)。该单晶硅层包含若干相邻共面掺杂层区，这些相邻接触的层区形成两个具有公共源区的互补L1GR元件、由它们构成所述互补S01LIGR组件。组件的公共源区以及两个漏区由具有第一和第二类导电性的备区组成。这样就获得一科简单、易于制造、平衡、高性能的互补LIGR结构，其中基本上消隙了各种不需的基片电流。
基本信息
专利标题 ：
互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87101227A
申请号 ：
CN87101227.8
公开（公告）日 ：
1988-12-21
申请日 ：
1987-12-19
授权号 ：
CN1009516B
授权日 ：
1990-09-05
发明人 ：
爱德华·亨利·斯图普
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
何耀煌
优先权 ：
CN87101227.8
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/78
相关图片
法律状态
2004-02-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-03-20 ：
其他有关事项
1998-12-16 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦电子有限公司
变更后 : 皇家菲利浦电子有限公司
1997-12-24 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
变更前 : 菲利浦光灯制造公司
变更后 : 菲利浦电子有限公司
1991-05-22 ：
授权
1990-09-05 ：
审定
1990-02-14 ：
实质审查请求
1988-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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