圆形硅杯的电化学腐蚀方法和装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是关于一种电化学腐蚀工艺，用以腐蚀得半导体硅压阻式压力传感器中的圆形硅杯(周边固定支撑的硅弹性膜)。采用对人体毒害性较小的NH4F水溶液作电化学腐蚀液；待腐蚀的具n/n+结构的硅片的n+面上用极易生长的SiO2作选择性腐蚀掩膜，再盖上有足够大内径的下橡皮圈被压在负极性的多孔铜电极和正极性的铜电极之间，腐蚀液不断喷入负极性的多孔铜电极，直达待腐蚀硅片进行腐蚀。
基本信息
专利标题 ：
圆形硅杯的电化学腐蚀方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87103891A
申请号 ：
CN87103891.9
公开（公告）日 ：
1988-03-30
申请日 ：
1987-05-27
授权号 ：
CN1009376B
授权日 ：
1990-08-29
发明人 ：
张声良刘恩科周宗闽
申请人 ：
西安交通大学
申请人地址 ：
陕西省西安市咸宁路28号
代理机构 ：
西安交通大学专利事务所
代理人 ：
徐文权
优先权 ：
CN87103891.9
主分类号 ：
C25F3/12
IPC分类号 ：
C25F3/12 C25F3/14 C25F7/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25F
电解法除去物体上材料的方法；其所用的设备
C25F3/00
电解浸蚀或抛光
C25F3/02
浸蚀
C25F3/12
半导体材料的
法律状态
1993-04-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-04-10 ：
授权
1990-08-29 ：
审定
1988-03-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1009376B.PDF
PDF下载
2、
CN87103891A.PDF
PDF下载
