腐蚀多孔硅用的腐蚀液以及、使用该腐蚀液的腐蚀方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及多孔硅腐蚀液和使用该腐蚀液选择性腐蚀多孔硅的方法。该腐蚀液包括一由氢氟酸和醇及双氧水中至少一种组成的溶液，或一由缓冲氢氟酸和至少醇及双氧水中的一种组成的溶液，其优点在于，使用本发明的腐蚀液及腐蚀方法不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀。
基本信息
专利标题 ：
腐蚀多孔硅用的腐蚀液以及、使用该腐蚀液的腐蚀方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1066748A
申请号 ：
CN92101589.5
公开（公告）日 ：
1992-12-02
申请日 ：
1992-02-15
授权号 ：
CN1037727C
授权日 ：
1998-03-11
发明人 ：
坂口清文米原隆夫左藤信彦
申请人 ：
佳能株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
付康
优先权 ：
CN92101589.5
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2007-04-25 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1998-03-11 ：
授权
1992-12-02 ：
公开
1992-11-11 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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