等离子体加速器法离子镀膜装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及物理汽相沉积技术领域中的等离子体加速器法离子镀膜装置，本发明的装置注重霍耳加速效应的使用，加速器中带有圆柱状永久磁铁，永久磁铁与屏蔽相匹配，因此产生的电离蒸汽质量高、加速合理、镀膜效果好、可用干仿金装饰工、模具硬化等领域。
基本信息
专利标题 ：
等离子体加速器法离子镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87104730A
申请号 ：
CN87104730.6
公开（公告）日 ：
1988-03-30
申请日 ：
1987-07-17
授权号 ：
CN1013964B
授权日 ：
1991-09-18
发明人 ：
王殿儒田大准
申请人 ：
北京工业学院
申请人地址 ：
北京市海淀区白石桥路7号
代理机构 ：
北京工业学院专利代理事务所
代理人 ：
付雷杰
优先权 ：
CN87104730.6
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
1999-09-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-04-29 ：
授权
1991-09-18 ：
审定
1988-03-30 ：
实质审查请求
1988-03-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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