用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明为一种制作GaAlAs隐埋异质结激光器的简单实用方法。本发明利用液相外延中的伴生现象获得一伴生高阻层来有效地限制器件的侧向电流从而使器件的制作工艺简化、工作速度提高。其优点在于方法简单、容易实现、重复性好,适用于制作光电集成器件。
基本信息
专利标题 :
用于隐埋异质结激光器的伴生高阻层生长方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1051464A
申请号 :
CN89108327.8
公开(公告)日 :
1991-05-15
申请日 :
1989-11-02
授权号 :
CN1025137C
授权日 :
1994-06-22
发明人 :
胡礼中刘式墉
申请人 :
吉林大学
申请人地址 :
吉林省长春市解放大路83号
代理机构 :
吉林大学专利事务所
代理人 :
崔丽娟
优先权 :
CN89108327.8
主分类号 :
H01S3/19
IPC分类号 :
H01S3/19 H01L33/00
法律状态
1995-12-13 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-06-22 :
授权
1992-02-12 :
实质审查请求已生效的专利申请
1991-05-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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