铌酸锂晶体(LN)室温腐蚀剂及其用途
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种在室温下能快速腐蚀铌酸锂晶体的腐蚀剂，采用40％浓度HF和98％H2SO4配制其配比视所要达到的腐蚀速度而定。以体积比配制混合物时，HF的范围为35-80％。本发明特点是在室温(25℃)时，可以快速，简便地对整只LN晶体进行腐蚀，区分正负畴及判断晶体的极化情况。不但对抛光晶体，而且对细磨晶体也能通过腐蚀显示清晰的正负畴图形，可节约抛光大晶体所需的时间和磨料费用。且对极化不完善晶体可采取补救措施。腐蚀液配制方便，且可反复使用。
基本信息
专利标题 ：
铌酸锂晶体(LN)室温腐蚀剂及其用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1061202A
申请号 ：
CN90102978.5
公开（公告）日 ：
1992-05-20
申请日 ：
1990-11-05
授权号 ：
CN1023654C
授权日 ：
1994-02-02
发明人 ：
张雁行华王祥谭浩然
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN90102978.5
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10 C30B29/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
1995-12-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-02-02 ：
授权
1992-05-20 ：
公开
1991-04-03 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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