一种压点腐蚀剂及刻蚀工艺
专利申请的视为撤回
摘要
一种压点腐蚀剂及刻蚀工艺，是用于半导体器件在压焊点上的加工工艺技术。该腐蚀剂加入了硫脲(N2H4CS)，六次甲基四胺(C6H12N4)有机阻蚀剂，有效地解决了压焊点在刻蚀时产生压点铝层表面发黄或变质问题。
基本信息
专利标题 ：
一种压点腐蚀剂及刻蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062431A
申请号 ：
CN90109884.1
公开（公告）日 ：
1992-07-01
申请日 ：
1990-12-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗如忠邓其明
申请人 ：
国营风光电工厂
申请人地址 ：
558024贵州省都匀市风光路46号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN90109884.1
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
1995-02-15 ：
专利申请的视为撤回
1992-07-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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