发光二极管集成矩阵组件及制法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
发光二极管集成矩阵组件及制法，属半导体电光集成器件及其制备方法，本发明以发光材料GaAsP/GaAs(n)与本征GaAs∶Zn叠层复合，以空间隔离沟和P-n结隔离技术形成发光矩阵芯片再与黑瓷厚膜电路基座组成为组件。可用作贴片式信息记录显示光源，用于大小型光电经纬仪，红外夜视等领域。
基本信息
专利标题 ：
发光二极管集成矩阵组件及制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1056379A
申请号 ：
CN90104677.9
公开（公告）日 ：
1991-11-20
申请日 ：
1990-07-15
授权号 ：
CN1032993C
授权日 ：
1996-10-09
发明人 ：
卢景贵张富文侯凤勤王运复黄汉生杨玉宪
申请人 ：
中国科学院长春物理研究所
申请人地址 ：
130021吉林省长春市延安大路1号
代理机构 ：
中国科学院长春专利事务所
代理人 ：
宋天平
优先权 ：
CN90104677.9
主分类号 ：
H01L27/15
IPC分类号 ：
H01L27/15 H01L21/82 H01L21/98
法律状态
2000-09-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-10-09 ：
授权
1991-11-20 ：
公开
1991-10-30 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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