发光二极管之矩阵结构
专利权的终止
摘要

本实用新型为一种发光二极管之矩阵结构,由复数个发光二极管单元所构成,其中一发光二极管单元包含:一水平扫描线;一垂直扫描线;一第一发光二极管,连接于该水平扫描线及一垂直扫描线之间,并且以正端部分连接该水平扫描线,以负端部分连接该垂直扫描线;一第二发光二极管,连接于该水平扫描线及一垂直扫描线之间,并且以正端部分连接该垂直扫描线,以负端部分连接该水平扫描线。其中,该复数个发光二极管单元透过连接每一发光二极管单元的水平扫描线及垂直扫描线,构成该发光二极管之矩阵结构。

基本信息
专利标题 :
发光二极管之矩阵结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820114309.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-08
授权号 :
CN201212659Y
授权日 :
2009-03-25
发明人 :
林正隆
申请人 :
森富科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹县竹北市县政二路512号2、3楼
代理机构 :
北京申翔知识产权代理有限公司
代理人 :
周春发
优先权 :
CN200820114309.3
主分类号 :
F21V23/00
IPC分类号 :
F21V23/00  H05B37/00  F21Y101/02  
IPC结构图谱
F
F部——机械工程;照明;加热;武器;爆破
F21
照明
F21V
照明装置或其系统的功能特征或零部件;不包含在其他类目中的照明装置和其他物品的结构组合物
F21V
照明装置或其系统的功能特征或零部件;不包含在其他类目中的照明装置和其他物品的结构组合物
F21V23/00
照明装置内或上面电路元件的布置
法律状态
2017-06-27 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101729961097
IPC(主分类) : F21S 2/00
专利号 : ZL2008201143093
申请日 : 20080508
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20160508
2009-03-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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